Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
Z0107NA,412 Image Z0107NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BT169H/01U Image BT169H/01U SCR 10A 800V TO-92 Inchiesta
Z0103MN,135 Image Z0103MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BUJ103AX,127 Image BUJ103AX,127 TRANS NPN 400V 4A TO-220F Inchiesta
TYN20X-800T,127 Image TYN20X-800T,127 SCR 800V 210A TO-220F Inchiesta
BT151U-800C,127 Image BT151U-800C,127 THYRISTOR 800V 12A SOT533 Inchiesta
BT138X-600E,127 Image BT138X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA310X-800D,127 Image BTA310X-800D,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F Inchiesta
BT151-800C,127 Image BT151-800C,127 THYRISTOR 12A 800V TO220AB Inchiesta
NXPLQSC10650Q Image NXPLQSC10650Q DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC Inchiesta
BT136S-600F,118 Image BT136S-600F,118 TRIAC 600V 4A DPAK Inchiesta
ACTT10X-800ETQ Image ACTT10X-800ETQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220FP Inchiesta
BTA2008-600E/L02EP BTA2008-600E/L02/TO-92/STANDAR Inchiesta
BTA312-600CT,127 Image BTA312-600CT,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
Z0109NA,126 Image Z0109NA,126 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BYV42EB-200,118 Image BYV42EB-200,118 DIODE ARRAY GP 200V 30A D2PAK Inchiesta
BT139-600-0TQ BT139-600-0T/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BTA208-600B,127 Image BTA208-600B,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Inchiesta
BTA208-800B/L01,12 Image BTA208-800B/L01,12 TRIAC 800V 8A TO220AB Inchiesta
BYC5X-600,127 Image BYC5X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 5A TO220F Inchiesta
BYV25X-600,127 Image BYV25X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F Inchiesta
BTA201-600E/L01EP BTA201-600E/L01/TO-92/STANDARD Inchiesta
BTA204W-600E,135 Image BTA204W-600E,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
OT386,127 TRIAC SC73 Inchiesta
BT258X-800R,127 Image BT258X-800R,127 THYRISTOR 800V 8A SOT186A Inchiesta
BTA212-600B/DG,127 Image BTA212-600B/DG,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BTA216-600BT,127 Image BTA216-600BT,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BYQ28ED-200PLJ Image BYQ28ED-200PLJ BYQ28ED-200PLJ/TO252/Q1/T1 *STAN Inchiesta
BTA312-800E,127 Image BTA312-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB Inchiesta
ACT108-600D/DG,126 Image ACT108-600D/DG,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92 Inchiesta
BT137-600E/DG Image BT137-600E/DG TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Inchiesta
BYV29X-600,127 Image BYV29X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F Inchiesta
BTA216B-600D,118 Image BTA216B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK Inchiesta
PHD13003C,412 Image PHD13003C,412 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Inchiesta
BYV29G-600,127 Image BYV29G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK Inchiesta
BTA208X-1000B,127 Image BTA208X-1000B,127 TRIAC ALTERNISTOR 1KV 8A TO220-3 Inchiesta
BTA312B-600C,118 Image BTA312B-600C,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Inchiesta
BT138-600-0TQ BT138-600-0T/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
Z0109MA/L01EP Z0109MA/L01/TO-92/STANDARD MAR Inchiesta
BYV32EB-200PQ Image BYV32EB-200PQ BYV32EB-200PQ/TO263/STANDARD MAR Inchiesta
TOPT16-800C0,127 TOPT16-800C0,127 SIL3P Inchiesta
Z0107NN,135 Image Z0107NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
BTA225-800B,127 Image BTA225-800B,127 TRIAC 800V 25A TO220AB Inchiesta
BYV25FX-600,127 Image BYV25FX-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F Inchiesta
ACT108-800EEP Image ACT108-800EEP TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 Inchiesta
BYC10X-600,127 Image BYC10X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F Inchiesta
BT149D,126 Image BT149D,126 THYRISTOR 400V 0.8A SOT54 Inchiesta
BUJ100,412 Image BUJ100,412 TRANS NPN 400V 1A TO92 Inchiesta
BTA312B-600E,118 Image BTA312B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Inchiesta
BTA212X-600F,127 Image BTA212X-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220F Inchiesta
Records 873