بطاقة خط

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- شركة WeEn Semiconductors Co.، Ltd هي المشروع المشترك العالمي بين NXP Semiconductors N.V و Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). تم افتتاح WeEn Semiconductors رسميا في 19 يناير 2016 مع مركز الأعمال والعمليات الموجود في شنغهاي ، الصين. شركة WeEn Semiconductors مسجلة في مدينة نانتشانغ التي تعد عاصمة مقاطعة جيانجزي ، الصين. وتمتلك بالكامل الشركات التابعة والفروع في مدينة جيلين للإنتاج ثنائي القطب ، في شنغهاي والمملكة المتحدة للبحث والتطوير ودعم الإنتاج ، في هونغ كونغ لأنشطة المبيعات ، وفي العديد من البلدان الأخرى لخدمات المبيعات والعملاء ، على التوالي.
وباعتبارها لاعباً رئيسياً في صناعة أشباه الموصلات ، فإن WeEn تجمع بين تكنولوجيا الطاقة المتطورة ثنائية القطب والمورد القوي لشركة JAC Capital في مجال الصناعة التحويلية وقنوات التوزيع الصينية ، للتركيز على تطوير مجموعة كاملة من منتجات الطاقة ثنائية القطبية الرائدة في الصناعة بما في ذلك مقومات السيلكون الخاضعة للرقابة ، الثنائيات الطاقة ، والترانزستورات عالية الجهد ، وكربيد السيليكون التي تستخدم على نطاق واسع في السيارات والاتصالات السلكية واللاسلكية ، وأجهزة الكمبيوتر والالكترونيات الاستهلاكية ، والأجهزة المنزلية الذكية ، والإضاءة ، وأسواق إدارة الطاقة. والهدف هو مساعدة العملاء على تحقيق كفاءة أعلى في التكاليف وكفاءة الإنتاج والمساهمة في تطوير الصين والتصنيع الذكي العالمي.
تم نقل مجموعة منتجات NXP Bi-Polar Division (Diodes، Thyristors & Transistors) إلى WeEn Semiconductors (يناير 19، 2017).
صورة رقم القطعة وصف رأي
Z0107NA,412 Image Z0107NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 تحقيق
BT169H/01U Image BT169H/01U SCR 10A 800V TO-92 تحقيق
Z0103MN,135 Image Z0103MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 تحقيق
BUJ103AX,127 Image BUJ103AX,127 TRANS NPN 400V 4A TO-220F تحقيق
TYN20X-800T,127 Image TYN20X-800T,127 SCR 800V 210A TO-220F تحقيق
BT151U-800C,127 Image BT151U-800C,127 THYRISTOR 800V 12A SOT533 تحقيق
BT138X-600E,127 Image BT138X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 تحقيق
BTA310X-800D,127 Image BTA310X-800D,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F تحقيق
BT151-800C,127 Image BT151-800C,127 THYRISTOR 12A 800V TO220AB تحقيق
NXPLQSC10650Q Image NXPLQSC10650Q DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC تحقيق
BT136S-600F,118 Image BT136S-600F,118 TRIAC 600V 4A DPAK تحقيق
ACTT10X-800ETQ Image ACTT10X-800ETQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220FP تحقيق
BTA2008-600E/L02EP BTA2008-600E/L02/TO-92/STANDAR تحقيق
BTA312-600CT,127 Image BTA312-600CT,127 TRIAC 600V 12A TO220AB تحقيق
Z0109NA,126 Image Z0109NA,126 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 تحقيق
BYV42EB-200,118 Image BYV42EB-200,118 DIODE ARRAY GP 200V 30A D2PAK تحقيق
BT139-600-0TQ BT139-600-0T/SIL3P/STANDARD MA تحقيق
BTA208-600B,127 Image BTA208-600B,127 TRIAC 600V 8A TO220AB تحقيق
BTA208-800B/L01,12 Image BTA208-800B/L01,12 TRIAC 800V 8A TO220AB تحقيق
BYC5X-600,127 Image BYC5X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 5A TO220F تحقيق
BYV25X-600,127 Image BYV25X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F تحقيق
BTA201-600E/L01EP BTA201-600E/L01/TO-92/STANDARD تحقيق
BTA204W-600E,135 Image BTA204W-600E,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 تحقيق
OT386,127 TRIAC SC73 تحقيق
BT258X-800R,127 Image BT258X-800R,127 THYRISTOR 800V 8A SOT186A تحقيق
BTA212-600B/DG,127 Image BTA212-600B/DG,127 TRIAC 600V 12A TO220AB تحقيق
BTA216-600BT,127 Image BTA216-600BT,127 TRIAC 600V 16A TO220AB تحقيق
BYQ28ED-200PLJ Image BYQ28ED-200PLJ BYQ28ED-200PLJ/TO252/Q1/T1 *STAN تحقيق
BTA312-800E,127 Image BTA312-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB تحقيق
ACT108-600D/DG,126 Image ACT108-600D/DG,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92 تحقيق
BT137-600E/DG Image BT137-600E/DG TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB تحقيق
BYV29X-600,127 Image BYV29X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F تحقيق
BTA216B-600D,118 Image BTA216B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK تحقيق
PHD13003C,412 Image PHD13003C,412 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 تحقيق
BYV29G-600,127 Image BYV29G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK تحقيق
BTA208X-1000B,127 Image BTA208X-1000B,127 TRIAC ALTERNISTOR 1KV 8A TO220-3 تحقيق
BTA312B-600C,118 Image BTA312B-600C,118 TRIAC 600V 12A D2PAK تحقيق
BT138-600-0TQ BT138-600-0T/SIL3P/STANDARD MA تحقيق
Z0109MA/L01EP Z0109MA/L01/TO-92/STANDARD MAR تحقيق
BYV32EB-200PQ Image BYV32EB-200PQ BYV32EB-200PQ/TO263/STANDARD MAR تحقيق
TOPT16-800C0,127 TOPT16-800C0,127 SIL3P تحقيق
Z0107NN,135 Image Z0107NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 تحقيق
BTA225-800B,127 Image BTA225-800B,127 TRIAC 800V 25A TO220AB تحقيق
BYV25FX-600,127 Image BYV25FX-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F تحقيق
ACT108-800EEP Image ACT108-800EEP TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 تحقيق
BYC10X-600,127 Image BYC10X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F تحقيق
BT149D,126 Image BT149D,126 THYRISTOR 400V 0.8A SOT54 تحقيق
BUJ100,412 Image BUJ100,412 TRANS NPN 400V 1A TO92 تحقيق
BTA312B-600E,118 Image BTA312B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK تحقيق
BTA212X-600F,127 Image BTA212X-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220F تحقيق
سجلات 873
سابق2345678910111213141516التالينهاية