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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
Z0107NA,412 Image Z0107NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BT169H/01U Image BT169H/01U SCR 10A 800V TO-92 Investigación
Z0103MN,135 Image Z0103MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BUJ103AX,127 Image BUJ103AX,127 TRANS NPN 400V 4A TO-220F Investigación
TYN20X-800T,127 Image TYN20X-800T,127 SCR 800V 210A TO-220F Investigación
BT151U-800C,127 Image BT151U-800C,127 THYRISTOR 800V 12A SOT533 Investigación
BT138X-600E,127 Image BT138X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Investigación
BTA310X-800D,127 Image BTA310X-800D,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F Investigación
BT151-800C,127 Image BT151-800C,127 THYRISTOR 12A 800V TO220AB Investigación
NXPLQSC10650Q Image NXPLQSC10650Q DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC Investigación
BT136S-600F,118 Image BT136S-600F,118 TRIAC 600V 4A DPAK Investigación
ACTT10X-800ETQ Image ACTT10X-800ETQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220FP Investigación
BTA2008-600E/L02EP BTA2008-600E/L02/TO-92/STANDAR Investigación
BTA312-600CT,127 Image BTA312-600CT,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
Z0109NA,126 Image Z0109NA,126 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BYV42EB-200,118 Image BYV42EB-200,118 DIODE ARRAY GP 200V 30A D2PAK Investigación
BT139-600-0TQ BT139-600-0T/SIL3P/STANDARD MA Investigación
BTA208-600B,127 Image BTA208-600B,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Investigación
BTA208-800B/L01,12 Image BTA208-800B/L01,12 TRIAC 800V 8A TO220AB Investigación
BYC5X-600,127 Image BYC5X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 5A TO220F Investigación
BYV25X-600,127 Image BYV25X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F Investigación
BTA201-600E/L01EP BTA201-600E/L01/TO-92/STANDARD Investigación
BTA204W-600E,135 Image BTA204W-600E,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
OT386,127 TRIAC SC73 Investigación
BT258X-800R,127 Image BT258X-800R,127 THYRISTOR 800V 8A SOT186A Investigación
BTA212-600B/DG,127 Image BTA212-600B/DG,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BTA216-600BT,127 Image BTA216-600BT,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Investigación
BYQ28ED-200PLJ Image BYQ28ED-200PLJ BYQ28ED-200PLJ/TO252/Q1/T1 *STAN Investigación
BTA312-800E,127 Image BTA312-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB Investigación
ACT108-600D/DG,126 Image ACT108-600D/DG,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92 Investigación
BT137-600E/DG Image BT137-600E/DG TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Investigación
BYV29X-600,127 Image BYV29X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F Investigación
BTA216B-600D,118 Image BTA216B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK Investigación
PHD13003C,412 Image PHD13003C,412 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Investigación
BYV29G-600,127 Image BYV29G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK Investigación
BTA208X-1000B,127 Image BTA208X-1000B,127 TRIAC ALTERNISTOR 1KV 8A TO220-3 Investigación
BTA312B-600C,118 Image BTA312B-600C,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Investigación
BT138-600-0TQ BT138-600-0T/SIL3P/STANDARD MA Investigación
Z0109MA/L01EP Z0109MA/L01/TO-92/STANDARD MAR Investigación
BYV32EB-200PQ Image BYV32EB-200PQ BYV32EB-200PQ/TO263/STANDARD MAR Investigación
TOPT16-800C0,127 TOPT16-800C0,127 SIL3P Investigación
Z0107NN,135 Image Z0107NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Investigación
BTA225-800B,127 Image BTA225-800B,127 TRIAC 800V 25A TO220AB Investigación
BYV25FX-600,127 Image BYV25FX-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F Investigación
ACT108-800EEP Image ACT108-800EEP TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 Investigación
BYC10X-600,127 Image BYC10X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F Investigación
BT149D,126 Image BT149D,126 THYRISTOR 400V 0.8A SOT54 Investigación
BUJ100,412 Image BUJ100,412 TRANS NPN 400V 1A TO92 Investigación
BTA312B-600E,118 Image BTA312B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Investigación
BTA212X-600F,127 Image BTA212X-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220F Investigación
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