Tarjeta de línea
WeEn Semiconductors Co., Ltd
- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen |
Número de pieza |
Descripción |
Ver |
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Z0107NA,412 |
TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 |
Investigación |
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BT169H/01U |
SCR 10A 800V TO-92 |
Investigación |
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Z0103MN,135 |
TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 |
Investigación |
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BUJ103AX,127 |
TRANS NPN 400V 4A TO-220F |
Investigación |
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TYN20X-800T,127 |
SCR 800V 210A TO-220F |
Investigación |
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BT151U-800C,127 |
THYRISTOR 800V 12A SOT533 |
Investigación |
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BT138X-600E,127 |
TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 |
Investigación |
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BTA310X-800D,127 |
TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F |
Investigación |
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BT151-800C,127 |
THYRISTOR 12A 800V TO220AB |
Investigación |
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NXPLQSC10650Q |
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC |
Investigación |
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BT136S-600F,118 |
TRIAC 600V 4A DPAK |
Investigación |
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ACTT10X-800ETQ |
TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220FP |
Investigación |
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BTA2008-600E/L02EP |
BTA2008-600E/L02/TO-92/STANDAR |
Investigación |
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BTA312-600CT,127 |
TRIAC 600V 12A TO220AB |
Investigación |
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Z0109NA,126 |
TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 |
Investigación |
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BYV42EB-200,118 |
DIODE ARRAY GP 200V 30A D2PAK |
Investigación |
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BT139-600-0TQ |
BT139-600-0T/SIL3P/STANDARD MA |
Investigación |
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BTA208-600B,127 |
TRIAC 600V 8A TO220AB |
Investigación |
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BTA208-800B/L01,12 |
TRIAC 800V 8A TO220AB |
Investigación |
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BYC5X-600,127 |
DIODE GEN PURP 500V 5A TO220F |
Investigación |
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BYV25X-600,127 |
DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F |
Investigación |
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BTA201-600E/L01EP |
BTA201-600E/L01/TO-92/STANDARD |
Investigación |
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BTA204W-600E,135 |
TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 |
Investigación |
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OT386,127 |
TRIAC SC73 |
Investigación |
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BT258X-800R,127 |
THYRISTOR 800V 8A SOT186A |
Investigación |
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BTA212-600B/DG,127 |
TRIAC 600V 12A TO220AB |
Investigación |
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BTA216-600BT,127 |
TRIAC 600V 16A TO220AB |
Investigación |
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BYQ28ED-200PLJ |
BYQ28ED-200PLJ/TO252/Q1/T1 *STAN |
Investigación |
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BTA312-800E,127 |
TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB |
Investigación |
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ACT108-600D/DG,126 |
TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92 |
Investigación |
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BT137-600E/DG |
TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB |
Investigación |
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BYV29X-600,127 |
DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F |
Investigación |
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BTA216B-600D,118 |
TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK |
Investigación |
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PHD13003C,412 |
TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 |
Investigación |
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BYV29G-600,127 |
DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK |
Investigación |
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BTA208X-1000B,127 |
TRIAC ALTERNISTOR 1KV 8A TO220-3 |
Investigación |
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BTA312B-600C,118 |
TRIAC 600V 12A D2PAK |
Investigación |
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BT138-600-0TQ |
BT138-600-0T/SIL3P/STANDARD MA |
Investigación |
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Z0109MA/L01EP |
Z0109MA/L01/TO-92/STANDARD MAR |
Investigación |
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BYV32EB-200PQ |
BYV32EB-200PQ/TO263/STANDARD MAR |
Investigación |
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TOPT16-800C0,127 |
TOPT16-800C0,127 SIL3P |
Investigación |
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Z0107NN,135 |
TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 |
Investigación |
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BTA225-800B,127 |
TRIAC 800V 25A TO220AB |
Investigación |
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BYV25FX-600,127 |
DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F |
Investigación |
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ACT108-800EEP |
TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 |
Investigación |
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BYC10X-600,127 |
DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F |
Investigación |
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BT149D,126 |
THYRISTOR 400V 0.8A SOT54 |
Investigación |
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BUJ100,412 |
TRANS NPN 400V 1A TO92 |
Investigación |
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BTA312B-600E,118 |
TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK |
Investigación |
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BTA212X-600F,127 |
TRIAC 600V 12A TO220F |
Investigación |