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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
OB2003/001V OB2003/001V/NAU000/NO MARK*CHIPS Investigación
BT134-600D,127 Image BT134-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A SOT82-3 Investigación
BT169G,126 Image BT169G,126 THYRISTOR 600V 0.8A SOT54 Investigación
BYW29ED-200,118 Image BYW29ED-200,118 DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK Investigación
BYV79E-200,127 Image BYV79E-200,127 DIODE GEN PURP 200V 14A TO220AC Investigación
BT136-600D/DG,127 Image BT136-600D/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Investigación
BTA412Y-800C,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
Z0103MN0,135 Image Z0103MN0,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BUJ105AD,118 Image BUJ105AD,118 TRANS NPN 400V 8A DPAK Investigación
BTA204-600C/DG,127 Image BTA204-600C/DG,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Investigación
BT139-600E,127 Image BT139-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
BT152B-800R,118 Image BT152B-800R,118 THYRISTOR 800V 20A D2PAK Investigación
BYV34G-600,127 Image BYV34G-600,127 DIODE ARRAY GP 600V 20A I2PAK Investigación
BT151-500C,127 Image BT151-500C,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Investigación
BTA216-600D,127 Image BTA216-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
PHE13003A,126 Image PHE13003A,126 TRANS NPN 400V 1A SOT54 Investigación
NCR100-8LR NCR100-8L/TO-236AB/REEL 7" Q3/ Investigación
BT258S-800R,118 Image BT258S-800R,118 THYRISTOR 800V 8A DPAK Investigación
BT152-500RT,127 Image BT152-500RT,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Investigación
BT151S-650L,118 Image BT151S-650L,118 THYRISTOR 500V 12A DPAK Investigación
BTA308X-800ETQ BTA308X-800ETQ/TO-220F/STANDARD Investigación
BTA208X-1000C0/L01 Image BTA208X-1000C0/L01 TRIAC 1KV 8A TO220F Investigación
BTA206X-800ET,127 Image BTA206X-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A TO220F Investigación
BTA212B-600F,118 Image BTA212B-600F,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Investigación
BT137S-600D,118 Image BT137S-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK Investigación
BTA216-800B,127 Image BTA216-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
BTA216-600E,127 Image BTA216-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
BTA140-600,127 Image BTA140-600,127 TRIAC 600V 25A TO220AB Investigación
BT139-800E,127 Image BT139-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220AB Investigación
BTA316X-800E,127 Image BTA316X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220-3 Investigación
BT134W-600E,115 Image BT134W-600E,115 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BYV40E-150,115 Image BYV40E-150,115 DIODE ARRAY GP 150V 1.5A SC73 Investigación
TYN60K-1400TQ Image TYN60K-1400TQ TYN60K-1400TQ TO3P Investigación
Z0103NN0,135 Image Z0103NN0,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Investigación
BTA204W-600D,135 Image BTA204W-600D,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BT151-650R,127 Image BT151-650R,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Investigación
BT169H/L01EP Image BT169H/L01EP THYRISTOR SCR 800V TO-92 Investigación
Z0103MA,116 Image Z0103MA,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA212-800B,127 Image BTA212-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
BT258X-500R,127 Image BT258X-500R,127 THYRISTOR 500V 8A SOT186A Investigación
BYQ72EK-200Q DIODE ARRAY GP 200V 15A TO3P Investigación
OT406,135 Image OT406,135 TRIAC SC73 Investigación
BT138-800G,127 Image BT138-800G,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
BTA312-800B,127 Image BTA312-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
BUJ100LR,126 Image BUJ100LR,126 TRANS NPN 400V 1A TO-92 Investigación
BTA420X-800CT,127 Image BTA420X-800CT,127 TRIAC 800V 20A TO220F Investigación
EC103D1,116 Image EC103D1,116 THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92 Investigación
BUJ302AD,118 Image BUJ302AD,118 TRANS NPN 400V 4A DPAK Investigación
NCR100W-10LX NCR100W-10L/SC-73/REEL 7" Q1/T Investigación
NXPSC06650Q Image NXPSC06650Q DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC Investigación
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