Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BT137-600/DG,127 Image BT137-600/DG,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Inchiesta
BT131-600D,412 Image BT131-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA330X-800BTQ Image BTA330X-800BTQ TRIAC 800V 30A TO220F Inchiesta
BTA204W-600B,135 Image BTA204W-600B,135 TRIAC 600V 1A SC73 Inchiesta
BTA41-600BQ Image BTA41-600BQ BTA41-600BQ/II TO3P/STANDARD MAR Inchiesta
BTA316X-800CTQ Image BTA316X-800CTQ BTA316X-800CTQ/TO-220F/STANDARD Inchiesta
BT134W-600,135 Image BT134W-600,135 TRIAC 600V 1A SC73 Inchiesta
BTA212X-600D,127 Image BTA212X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Inchiesta
ACT108-600D,126 Image ACT108-600D,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Inchiesta
BYQ28E-200,127 Image BYQ28E-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Inchiesta
BUJ403A,127 Image BUJ403A,127 TRANS NPN 550V 6A TO220AB Inchiesta
BTA330Y-800BTQ TRIAC STANDARD 800V 30A TO220-3 Inchiesta
NXPS20S100C,127 Image NXPS20S100C,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 Inchiesta
BTA316B-600E,118 Image BTA316B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK Inchiesta
BTA201-800ER,126 Image BTA201-800ER,126 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
NCR100-8MR NCR100-8M/TO-236AB/REEL 7" Q3/ Inchiesta
PHD13003C,126 Image PHD13003C,126 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Inchiesta
BTA212B-600D,118 Image BTA212B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Inchiesta
BT150-500R,127 Image BT150-500R,127 THYRISTOR 500V 4A TO220AB Inchiesta
ACTT2W-800ETNF ACTT2W-800ETN SC-70 STANDARD Inchiesta
BT168E,112 Image BT168E,112 THYRISTOR .8A 500V TO-92 Inchiesta
BT138-600G0Q BT138-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
BTA225B-800B,118 Image BTA225B-800B,118 TRIAC 800V 25A D2PAK Inchiesta
BT136S-600,118 Image BT136S-600,118 TRIAC 600V 4A DPAK Inchiesta
BT132-600D,412 Image BT132-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BYV42E-150,127 Image BYV42E-150,127 DIODE ARRAY GP 150V 30A TO220AB Inchiesta
BT149G,126 Image BT149G,126 THYRISTOR 600V 0.8A TO-92 Inchiesta
BT169D,112 Image BT169D,112 THYRISTOR 400V 0.8A TO92-3 Inchiesta
BYC15-1200PQ BYC15-1200PQ/TO-220AC/STANDARD M Inchiesta
BTA216-600F,127 Image BTA216-600F,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BUJD203A,127 Image BUJD203A,127 TRANS NPN 425V 4A TO220AB Inchiesta
Z0109NN,135 Image Z0109NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
BT138X-600F,127 Image BT138X-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA316-600E/DGQ Image BTA316-600E/DGQ TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Inchiesta
BYC30X-600P,127 Image BYC30X-600P,127 DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F Inchiesta
BT137-600G0Q BT137-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
BT152X-400R,127 Image BT152X-400R,127 THYRISTOR 20A 450V TO-220F Inchiesta
BT134W-600,115 Image BT134W-600,115 TRIAC 600V 1A SC73 Inchiesta
BT137-600G0TQ Image BT137-600G0TQ TRIAC 600V 8A Inchiesta
BT136-800E,127 Image BT136-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220AB Inchiesta
BT139X-600F/DG,127 Image BT139X-600F/DG,127 TRIAC 600V 16A TO220F Inchiesta
BT137X-600,127 Image BT137X-600,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Inchiesta
BT131-600D/L01EP Image BT131-600D/L01EP TRIAC SENS GATE 600V 1A Inchiesta
BT169G,112 Image BT169G,112 THYRISTOR .8A 600V TO-92 Inchiesta
BT138-600,127 Image BT138-600,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
Z0103NA0QP Image Z0103NA0QP TRIAC SENS GATE 800V 1A Inchiesta
Z0109MA,412 Image Z0109MA,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BT169D,126 Image BT169D,126 THYRISTOR 400V 50MA TO92-3 Inchiesta
BYV29B-500,118 Image BYV29B-500,118 DIODE GEN PURP 500V 9A D2PAK Inchiesta
BTA312X-600C,127 Image BTA312X-600C,127 TRIAC 600V 12A TO220F Inchiesta
Records 873