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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, est la joint-venture mondiale entre NXP Semiconductors N.V. et Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors a été officiellement ouvert le 19 janvier 2016 avec son centre d'affaires et d'opérations situé à Shanghai, en Chine. WeEn Semiconductors est enregistrée à Nanchang, la capitale de la province de Jiangxi, en Chine. Elle possède des filiales et des succursales à Jilin pour la production bipolaire, à Shanghai et au Royaume-Uni pour la R & D et le soutien de la production, à Hong Kong pour les activités commerciales et dans de nombreux autres pays pour les ventes et le service clientèle, respectivement.
En tant qu’acteur clé dans l’industrie des semi-conducteurs, WeEn associe la technologie d’alimentation bipolaire avancée et la solide ressource de JAC Capital dans l’industrie manufacturière et les canaux de distribution chinois pour se concentrer sur le développement d’un portefeuille complet de diodes de puissance, transistors haute tension, carbure de silicium, largement utilisés dans les marchés de l'automobile, des télécommunications, de l'informatique et de l'électronique grand public, des appareils ménagers intelligents, de l'éclairage et de la gestion de l'alimentation. L’objectif est d’aider les clients à atteindre une rentabilité et une efficacité de production supérieures et à contribuer au développement de la Chine et de la fabrication intelligente au niveau mondial.
Le portefeuille de produits de la division bi-polaire NXP (diodes, thyristors et transistors) a été transféré à WeEn Semiconductors (19 janv. 2017).
image Modèle de produit La description Vue
BYV29-600,127 Image BYV29-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AC Enquête
BT131-600/DG,116 Image BT131-600/DG,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Enquête
BTA204S-600D,118 Image BTA204S-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK Enquête
BT131-600,412 Image BT131-600,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Enquête
BT131-800EQP BT131-800E/TO-92/STANDARD MARK Enquête
BUJ403A/DG,127 Image BUJ403A/DG,127 TRANS NPN 550V 6A TO220AB Enquête
ACTT12X-800CTQ ACTT12X-800CT/TO-220F/STANDARD Enquête
BTA310-600E,127 Image BTA310-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Enquête
BTA308X-800B0Q BTA308X-800B0/TO-220F/STANDARD Enquête
ACTT8B-800C0TJ ACTT8B-800C0T/D2PAK/REEL 13" Q Enquête
BYQ28E-200/H,127 Image BYQ28E-200/H,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Enquête
BYC10DX-600,127 Image BYC10DX-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F Enquête
BTA202X-800E,127 Image BTA202X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220-3 Enquête
BTA316X-600C/L02Q BTA316X-600C/L02/TO-220F/STAND Enquête
BYV32E-200PQ DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Enquête
BTA425Y-800BTQ TRIAC 800V 25A TO220AB Enquête
Z0103NA,412 Image Z0103NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Enquête
BYV74W-400,127 Image BYV74W-400,127 DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247-3 Enquête
OT407,412 TRIAC SOT54A Enquête
BT137-600E/L01,127 Image BT137-600E/L01,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Enquête
BT258-500R,127 Image BT258-500R,127 THYRISTOR 500V 8A TO220AB Enquête
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ET SIL3P STANDARD Enquête
TB100ML TB100/TO-92/STANDARD MARKING * Enquête
ACTT6B-800CNJ ACTT6B-800CN/D2PAK/REEL 13" Q1 Enquête
BYV25G-600,127 Image BYV25G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK Enquête
BTA204X-600B/L03Q Image BTA204X-600B/L03Q TRIAC 600V 4A Enquête
BYR29X-800,127 Image BYR29X-800,127 DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F Enquête
OT408,135 Image OT408,135 TRIAC STANDARD TO261-4 Enquête
BTA208X-800F,127 Image BTA208X-800F,127 TRIAC 800V 8A TO220-3 Enquête
BYW29E-200,127 Image BYW29E-200,127 DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC Enquête
BT169G-L,412 Image BT169G-L,412 THYRISTOR 600V SOT54 Enquête
BT169G-LML BT169G-L/TO-92/STANDARD MARKIN Enquête
BTA312-600E,127 Image BTA312-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Enquête
BT137X-800/L02,127 Image BT137X-800/L02,127 TRIAC 800V 8A TO220F Enquête
BT136S-800F,118 Image BT136S-800F,118 TRIAC 800V 4A DPAK Enquête
BTA410-600ET,127 Image BTA410-600ET,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Enquête
BTA312G-600CTQ BTA312G-600CT/I2PAK/STANDARD M Enquête
BTA216-600B/DG,127 Image BTA216-600B/DG,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Enquête
BTA204S-600F,118 Image BTA204S-600F,118 TRIAC 600V 4A DPAK Enquête
BTA312B-800C,118 Image BTA312B-800C,118 TRIAC 800V 12A D2PAK Enquête
BT134-800,127 Image BT134-800,127 TRIAC 800V 4A SOT82-3 Enquête
BT151S-650R,118 Image BT151S-650R,118 THYRISTOR 650V 12A DPAK Enquête
PHE13005,127 Image PHE13005,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Enquête
BTA204S-600B,118 Image BTA204S-600B,118 TRIAC 600V 4A DPAK Enquête
BTA216X-600B,127 Image BTA216X-600B,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Enquête
BTA204X-600B,127 Image BTA204X-600B,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Enquête
BTA316-800CTQ BTA316-800CTQ/SIL3P/STANDARD MAR Enquête
BYC8X-600,127 Image BYC8X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Enquête
BYV25F-600,127 Image BYV25F-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC Enquête
BTA310-800C,127 Image BTA310-800C,127 TRIAC 800V 10A TO220AB Enquête
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