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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, est la joint-venture mondiale entre NXP Semiconductors N.V. et Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors a été officiellement ouvert le 19 janvier 2016 avec son centre d'affaires et d'opérations situé à Shanghai, en Chine. WeEn Semiconductors est enregistrée à Nanchang, la capitale de la province de Jiangxi, en Chine. Elle possède des filiales et des succursales à Jilin pour la production bipolaire, à Shanghai et au Royaume-Uni pour la R & D et le soutien de la production, à Hong Kong pour les activités commerciales et dans de nombreux autres pays pour les ventes et le service clientèle, respectivement.
En tant qu’acteur clé dans l’industrie des semi-conducteurs, WeEn associe la technologie d’alimentation bipolaire avancée et la solide ressource de JAC Capital dans l’industrie manufacturière et les canaux de distribution chinois pour se concentrer sur le développement d’un portefeuille complet de diodes de puissance, transistors haute tension, carbure de silicium, largement utilisés dans les marchés de l'automobile, des télécommunications, de l'informatique et de l'électronique grand public, des appareils ménagers intelligents, de l'éclairage et de la gestion de l'alimentation. L’objectif est d’aider les clients à atteindre une rentabilité et une efficacité de production supérieures et à contribuer au développement de la Chine et de la fabrication intelligente au niveau mondial.
Le portefeuille de produits de la division bi-polaire NXP (diodes, thyristors et transistors) a été transféré à WeEn Semiconductors (19 janv. 2017).
image Modèle de produit La description Vue
NCR100W-12LX NCR100W-12L/SC-73/REEL 7" Q1/T Enquête
Z0109MA0,412 Image Z0109MA0,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Enquête
BT151S-500L,118 Image BT151S-500L,118 THYRISTOR 500V 12A DPAK Enquête
BTA316-800C/DGQ Image BTA316-800C/DGQ TRIAC 800V 16A TO220AB Enquête
ACTT6G-800E,127 Image ACTT6G-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A I2PAK Enquête
BTA212B-600E,118 Image BTA212B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Enquête
BT137S-600E,118 Image BT137S-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK Enquête
BT139-600G0TQ BT139-600G0T/SIL3P/STANDARD MA Enquête
TB100EP TB100/TO-92/STANDARD MARKING * Enquête
NXPSC20650Q Image NXPSC20650Q DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC Enquête
BTA208X-600E,127 Image BTA208X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220-3 Enquête
BTA206X-800ET/L03Q BTA206X-800ET/L03/TO-220F/STAN Enquête
BT131-600/DG,412 Image BT131-600/DG,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Enquête
BTA208-800B,127 Image BTA208-800B,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Enquête
BT152-800R,127 Image BT152-800R,127 THYRISTOR 20A 800V TO220AB Enquête
BT134-600E,127 Image BT134-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A SOT82-3 Enquête
BUJ303B,127 Image BUJ303B,127 TRANS NPN 400V 5A TO220AB Enquête
BYV415K-600PQ Image BYV415K-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P Enquête
BYR5D-1200PJ BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M Enquête
BT137X-600F,127 Image BT137X-600F,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Enquête
BTA202X-800E/L01,1 Image BTA202X-800E/L01,1 TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220F Enquête
BTA204W-600C,135 Image BTA204W-600C,135 TRIAC 600V 1A SC73 Enquête
BTA310X-600E,127 Image BTA310X-600E,127 TRIAC 600V 10A TO220F Enquête
Disques 873
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