Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BT1308W-600D,135 Image BT1308W-600D,135 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Inchiesta
BTA420Y-800CT,127 TRIAC 800V 20A TO220AB Inchiesta
BYC10B-600,118 Image BYC10B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK Inchiesta
BT152B-600R,118 Image BT152B-600R,118 THYRISTOR 650V 20A D2PAK Inchiesta
BTA316B-600B0J Image BTA316B-600B0J TRIAC 600V 16A D2PAK Inchiesta
BYT79-600,127 Image BYT79-600,127 DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC Inchiesta
ACTT4S-800C,118 Image ACTT4S-800C,118 TRIAC 800V 4A DPAK Inchiesta
BT137X-600G,127 Image BT137X-600G,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Inchiesta
BT258U-600R,127 Image BT258U-600R,127 THYRISTOR 600V 8A IPAK Inchiesta
BYW29E-150,127 Image BYW29E-150,127 DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC Inchiesta
BT138X-800E,127 Image BT138X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220-3 Inchiesta
BT169D/DG,126 Image BT169D/DG,126 THYRISTOR 400V 500MA TO92-3 Inchiesta
BYC20-600,127 Image BYC20-600,127 DIODE GEN PURP 500V 20A TO220AC Inchiesta
BTA204X-800E/L01Q BTA204X-800E/L01/TO-220F/STAND Inchiesta
BTA204-800C/DG,127 Image BTA204-800C/DG,127 TRIAC 800V 4A TO220AB Inchiesta
BT137B-800F,118 Image BT137B-800F,118 TRIAC 800V 8A D2PAK Inchiesta
BT137-600-0Q Image BT137-600-0Q TRIAC 600V 8A SIL3P Inchiesta
WNS30H100CBJ WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13\" Q1/ Inchiesta
BYC58X-600,127 Image BYC58X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Inchiesta
BYQ72EW-200Q DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247-3 Inchiesta
BT145-800RTQ BT145-800RTQ SIL3P STANDARD Inchiesta
BYT28-500,127 Image BYT28-500,127 DIODE ARRAY GP 500V 10A TO220AB Inchiesta
BTA204W-800E,135 Image BTA204W-800E,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
BT138-800E,127 Image BT138-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB Inchiesta
WNS40H100CQ WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKI Inchiesta
BYV29FX-600,127 Image BYV29FX-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F Inchiesta
BYW29EX-200,127 Image BYW29EX-200,127 DIODE GEN PURP 200V 8A TO220F Inchiesta
ACTT8-800CTNQ ACTT8-800CTN/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
Z0109NA,412 Image Z0109NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BT137X-800E,127 Image BT137X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220-3 Inchiesta
BYV32E-100,127 Image BYV32E-100,127 DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB Inchiesta
BTA204S-600C,118 Image BTA204S-600C,118 TRIAC 600V 4A DPAK Inchiesta
TYN16X-800RT,127 Image TYN16X-800RT,127 IC SCR 16A 800V TO-220F Inchiesta
BT138-600G0TQ BT138-600G0T/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BTA140-600-0TQ BTA140-600-0T/SIL3P/STANDARD M Inchiesta
BT137B-800,118 Image BT137B-800,118 TRIAC 800V 8A D2PAK Inchiesta
BTA225B-600B,118 Image BTA225B-600B,118 TRIAC 600V 25A D2PAK Inchiesta
ACT108W-600E,135 Image ACT108W-600E,135 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Inchiesta
BT151X-500R,127 Image BT151X-500R,127 THYRISTOR 500V 12A SOT186A Inchiesta
BTA212-600F,127 Image BTA212-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BTA316-600D,127 Image BTA316-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Inchiesta
BT138B-600,118 Image BT138B-600,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Inchiesta
BT151-1000RT,127 Image BT151-1000RT,127 THYRISTOR 1000V 12A TO220AB Inchiesta
BTA312-600D/DG,127 Image BTA312-600D/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Inchiesta
BT132-600D,116 Image BT132-600D,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BYQ28X-200,127 Image BYQ28X-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220-3 Inchiesta
BTA425X-800BT/L02Q BTA425X-800BT/L02/TO-220F/STAN Inchiesta
ACTT4X-800E,127 Image ACTT4X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220F Inchiesta
BT139X-800,127 Image BT139X-800,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Inchiesta
MAC223A6,127 Image MAC223A6,127 TRIAC 400V 25A TO220AB Inchiesta
Records 873