SI8819EDB-T2-E1
- Número de pieza:
- SI8819EDB-T2-E1
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
- Cantidad disponible:
- 68646 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SI8819EDB-T2-E1.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V |
| La disipación de energía (máximo): | 900mW (Ta) |
| Paquete / Cubierta: | 4-XFBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 6V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 17nC @ 8V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 3.7V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
| Descripción detallada: | P-Channel 12V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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