SI8819EDB-T2-E1
- Modelo do Produto:
- SI8819EDB-T2-E1
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
- Quantidade disponível:
- 68646 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- SI8819EDB-T2-E1.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V |
| Dissipação de energia (Max): | 900mW (Ta) |
| Caixa / Gabinete: | 4-XFBGA |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 6V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 8V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.5V, 3.7V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 12V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 12V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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