SI8819EDB-T2-E1
- Modello di prodotti:
- SI8819EDB-T2-E1
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
- quantità disponibile:
- 68646 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SI8819EDB-T2-E1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V |
| Dissipazione di potenza (max): | 900mW (Ta) |
| Contenitore / involucro: | 4-XFBGA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 8V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 3.7V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 12V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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