Điều kiện | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Gốc | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
Vgs (Tối đa): | ±8V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
Loạt: | TrenchFET® Gen III |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 95 mOhm @ 1A, 4.5V |
Điện cực phân tán (Max): | 900mW (Tc) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | 4-XFBGA |
Vài cái tên khác: | SI8823EDB-T2-E1TR |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 46 Weeks |
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 10V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
Loại FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 20V |
miêu tả cụ thể: | P-Channel 20V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 2.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |