SI8823EDB-T2-E1
- Modelo do Produto:
- SI8823EDB-T2-E1
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 33330 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- SI8823EDB-T2-E1.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| Série: | TrenchFET® Gen III |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 95 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 900mW (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 4-XFBGA |
| Outros nomes: | SI8823EDB-T2-E1TR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 46 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.5V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 20V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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