SI3460BDV-T1-GE3
- 部品型番:
- SI3460BDV-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 5218 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- SI3460BDV-T1-GE3.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 電圧 - テスト: | 860pF @ 10V |
| 電圧 - ブレークダウン: | 6-TSOP |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 8A (Tc) |
| 偏光: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SI3460BDV-T1-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 24nC @ 8V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 1V @ 250µA |
| FET特長: | N-Channel |
| 拡張された説明: | N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | - |
| 説明: | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 20V |
| 静電容量比: | 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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