EPC8010ENGR
- Modello di prodotti:
- EPC8010ENGR
- fabbricante:
- EPC
- Descrizione:
- TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 31682 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- EPC8010ENGR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - Prova: | 55pF @ 50V |
| Tensione - Ripartizione: | Die |
| Vgs (th) (max) a Id: | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Serie: | eGaN® |
| Stato RoHS: | Tray |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.7A (Ta) |
| Polarizzazione: | - |
| Altri nomi: | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | EPC8010ENGR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.48nC @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| rapporto di capacità: | - |
| Email: | [email protected] |
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