EPC8010ENGR
- Modèle de produit:
- EPC8010ENGR
- Fabricant:
- EPC
- La description:
- TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 31682 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- EPC8010ENGR.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Test: | 55pF @ 50V |
| Tension - Ventilation: | Die |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| La technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Séries: | eGaN® |
| État RoHS: | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.7A (Ta) |
| Polarisation: | - |
| Autres noms: | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | EPC8010ENGR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.48nC @ 5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Fonction FET: | N-Channel |
| Description élargie: | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 100V |
| Ratio de capacité: | - |
| Email: | [email protected] |
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