EPC8010ENGR
- Modelo do Produto:
- EPC8010ENGR
- Fabricante:
- EPC
- Descrição:
- TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 31682 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- EPC8010ENGR.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - Teste: | 55pF @ 50V |
| Tensão - Breakdown: | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Série: | eGaN® |
| Status de RoHS: | Tray |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.7A (Ta) |
| Polarização: | - |
| Outros nomes: | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | EPC8010ENGR |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.48nC @ 5V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Característica FET: | N-Channel |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| Rácio de capacitância: | - |
| Email: | [email protected] |
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