EPC8009ENGR
- Modello di prodotti:
- EPC8009ENGR
- fabbricante:
- EPC
- Descrizione:
- TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 44951 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.EPC8009ENGR.pdf2.EPC8009ENGR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - Prova: | 47pF @ 32.5V |
| Tensione - Ripartizione: | Die |
| Vgs (th) (max) a Id: | 138 mOhm @ 500mA, 5V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Serie: | eGaN® |
| Stato RoHS: | Tray |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.1A (Ta) |
| Polarizzazione: | Die |
| Altri nomi: | 917-EPC8009ENGR EPC8009ENGG |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | EPC8009ENGR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.38nC @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 65V |
| rapporto di capacità: | - |
| Email: | [email protected] |
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