Kartu garis

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
GSXF060A100S1-D3 Image GSXF060A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 60A SOT227 Penyelidikan
GSXF030A120S1-D3 Image GSXF030A120S1-D3 DIODE FAST REC 1200V 30A SOT227 Penyelidikan
GP2D015A120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO220-2 Penyelidikan
GP2D003A065A Image GP2D003A065A DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2 Penyelidikan
1N1184AR Image 1N1184AR DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5 Penyelidikan
GSXD100A006S1-D3 Image GSXD100A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227 Penyelidikan
GP1M004A090FH Image GP1M004A090FH MOSFET N-CH 900V 4A TO220F Penyelidikan
1N3880 DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 Penyelidikan
GP1M008A025FG Image GP1M008A025FG MOSFET N-CH 250V 8A TO220F Penyelidikan
GKN71/14 DIODE GEN PURP 1.4KV 95A DO5 Penyelidikan
GPA042A100L-ND Image GPA042A100L-ND IGBT 1000V 60A 463W TO264 Penyelidikan
FR16J02 DIODE GEN PURP 600V 16A DO4 Penyelidikan
GSXD080A008S1-D3 Image GSXD080A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227 Penyelidikan
FST16060 Image FST16060 DIODE MODULE 60V 160A TO249AB Penyelidikan
GPA040A120MN-FD Image GPA040A120MN-FD IGBT 1200V 80A 480W TO3PN Penyelidikan
GSXF120A120S1-D3 Image GSXF120A120S1-D3 DIODE FAST REC 1200V 120A SOT227 Penyelidikan
GSXF100A020S1-D3 Image GSXF100A020S1-D3 DIODE FAST REC 200V 120AA SOT227 Penyelidikan
1N3766R DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5 Penyelidikan
GSXF120A020S1-D3 Image GSXF120A020S1-D3 DIODE FAST REC 200V 120A SOT227 Penyelidikan
GSXF120A060S1-D3 Image GSXF120A060S1-D3 DIODE FAST REC 600V 120A SOT227 Penyelidikan
1N2135AR DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5 Penyelidikan
1N3671A DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 Penyelidikan
GP2M002A065PG Image GP2M002A065PG MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK Penyelidikan
GSXD030A006S1-D3 Image GSXD030A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOT227 Penyelidikan
S6M DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 Penyelidikan
S40D DIODE GEN PURP 200V 40A DO5 Penyelidikan
GSID150A120S6A4 SILICON IGBT MODULES Penyelidikan
GP1M018A020HG Image GP1M018A020HG MOSFET N-CH 200V 18A TO220 Penyelidikan
GHXS050A060S-D4 Image GHXS050A060S-D4 DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 Penyelidikan
GPA020A135MN-FD Image GPA020A135MN-FD IGBT 1350V 40A 223W TO3PN Penyelidikan
GHXS015A120S-D4 Image GHXS015A120S-D4 DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227 Penyelidikan
FR6M05 DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 Penyelidikan
1N3890 DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 Penyelidikan
GP2M008A060PGH Image GP2M008A060PGH MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK Penyelidikan
FR12G02 DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 Penyelidikan
GP1M003A080CH MOSFET N-CH 800V 3A DPAK Penyelidikan
GP1M003A040CG Image GP1M003A040CG MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Penyelidikan
FR30A02 DIODE GEN PURP 50V 30A DO5 Penyelidikan
GP2D030A060B Image GP2D030A060B DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247-2 Penyelidikan
FR16D02 DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 Penyelidikan
GKN71/04 DIODE GEN PURP 400V 95A DO5 Penyelidikan
GP1M009A060FH Image GP1M009A060FH MOSFET N-CH 600V 9A TO220F Penyelidikan
FR16JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4 Penyelidikan
GP1M006A065FH Image GP1M006A065FH MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F Penyelidikan
GCMS004A120S7B1 SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL Penyelidikan
FST10020 Image FST10020 DIODE MODULE 20V 100A TO249AB Penyelidikan
GSXD120A012S1-D3 Image GSXD120A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227 Penyelidikan
S6B DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 Penyelidikan
GHXS045A120S-D4 Image GHXS045A120S-D4 DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227 Penyelidikan
GP1M003A050FG Image GP1M003A050FG MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F Penyelidikan
catatan 639