Kartu garis

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
GP1M020A060N Image GP1M020A060N MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN Penyelidikan
GKN71/08 DIODE GEN PURP 800V 95A DO5 Penyelidikan
FR30DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 30A DO5 Penyelidikan
1N1189 DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 Penyelidikan
GSXD160A010S1-D3 Image GSXD160A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227 Penyelidikan
FR16J05 DIODE GEN PURP 600V 16A DO4 Penyelidikan
GP2M008A060FG Image GP2M008A060FG MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F Penyelidikan
GP2M008A060HG Image GP2M008A060HG MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220 Penyelidikan
S16DR DIODE GEN REV 200V 16A DO203AA Penyelidikan
FR16JR05 DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4 Penyelidikan
1N1189R DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 Penyelidikan
GB05SLT12-220 Image GB05SLT12-220 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC Penyelidikan
FR6MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4 Penyelidikan
GHXS050A170S-D3 1700V 50A SIC SBD PARALLEL Penyelidikan
S40JR DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5 Penyelidikan
GPA040A120L-ND Image GPA040A120L-ND IGBT 1200V 80A 455W TO264 Penyelidikan
GP2M004A060HG Image GP2M004A060HG MOSFET N-CH 600V 4A TO220 Penyelidikan
1N1202A Image 1N1202A DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 Penyelidikan
GP1M009A070F Image GP1M009A070F MOSFET N-CH 700V 9A TO220F Penyelidikan
GP2D020A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Penyelidikan
FST12045 Image FST12045 DIODE MODULE 45V 120A TO249AB Penyelidikan
GP2D020A120A Image GP2D020A120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2 Penyelidikan
S25M DIODE GEN PURP 1KV 25A DO203AA Penyelidikan
S25D DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA Penyelidikan
GSID100A120S5C1 Image GSID100A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 170A Penyelidikan
GP1M008A050HG Image GP1M008A050HG MOSFET N-CH 500V 8A TO220 Penyelidikan
GHIS080A060S-A2 Image GHIS080A060S-A2 IGBT BUCK CHOP 600V 160A SOT227 Penyelidikan
GHIS060A120S1-E1 SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S Penyelidikan
FR6K05 DIODE GEN PURP 800V 6A DO4 Penyelidikan
1N2138A Image 1N2138A DIODE GEN PURP 600V 60A DO5 Penyelidikan
1N2129A DIODE GEN PURP 100V 60A DO5 Penyelidikan
GAP05SLT80-220 Image GAP05SLT80-220 DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL Penyelidikan
GP1M011A050FSH Image GP1M011A050FSH MOSFET N-CH 500V 10A TO220F Penyelidikan
GSXD100A015S1-D3 Image GSXD100A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227 Penyelidikan
1N3882R DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4 Penyelidikan
FR30JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 30A DO5 Penyelidikan
S40VR DIODE GEN PURP REV 1.4KV 40A DO5 Penyelidikan
FR12D02 DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 Penyelidikan
FR20JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 20A DO5 Penyelidikan
GP2M012A060F Image GP2M012A060F MOSFET N-CH 600V 12A TO220F Penyelidikan
GP1M016A060N Image GP1M016A060N MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN Penyelidikan
S12KR DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 Penyelidikan
1N3212 DIODE GEN PURP 400V 15A DO5 Penyelidikan
GP2M002A060CG Image GP2M002A060CG MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Penyelidikan
GPA030A120I-FD Image GPA030A120I-FD IGBT 1200V 60A 329W TO247 Penyelidikan
S16J Image S16J DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA Penyelidikan
GP2D006A060C Image GP2D006A060C DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2 Penyelidikan
S25DR DIODE GEN REV 200V 25A DO203AA Penyelidikan
FST12020 Image FST12020 DIODE MODULE 20V 120A TO249AB Penyelidikan
S16M DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA Penyelidikan
catatan 639