Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
MUR2520	DIODE GEN PURP 200V 25A DO4	Penyelidikan
FR16B02	DIODE GEN PURP 100V 16A DO4	Penyelidikan
GP1M006A065F	MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F	Penyelidikan
1N1188AR	DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5	Penyelidikan
GSID600A120S4B1	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
GP1M007A090FH	MOSFET N-CH 900V 7A TO220F	Penyelidikan
GSXD030A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 30A SOT227	Penyelidikan
GP2M002A065FG	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F	Penyelidikan
GP1M003A090PH	MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK	Penyelidikan
FR16GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4	Penyelidikan
GHXS020A060S-D1E	MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227	Penyelidikan
GKR26/16	DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4	Penyelidikan
GSXD120A018S1-D3	DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227	Penyelidikan
S16GR	DIODE GEN REV 400V 16A DO203AA	Penyelidikan
GSXD100A004S1-D3	DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227	Penyelidikan
GSXF100A040S1-D3	DIODE FAST REC 400V 100A SOT227	Penyelidikan
FR30B02	DIODE GEN PURP 100V 30A DO5	Penyelidikan
GHIS080A120S-A2	IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227	Penyelidikan
FR12GR02	DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4	Penyelidikan
GSXF030A040S1-D3	DIODE FAST REC 400V 30A SOT227	Penyelidikan
GP2M009A090FG	MOSFET N-CH 900V 9A TO220F	Penyelidikan
FR30M05	DIODE GEN PURP 1KV 30A DO5	Penyelidikan
GSXD120A015S1-D3	DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227	Penyelidikan
GHIS040A060S-A2	IGBT BUCK CHOP 600V 80A SOT227	Penyelidikan
1N1204AR	DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4	Penyelidikan
MUR2505	DIODE GEN PURP 50V 25A DO4	Penyelidikan
GHXS030A060S-D4	DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227	Penyelidikan
S16D	DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA	Penyelidikan
FR40BR02	DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5	Penyelidikan
FR16DR05	DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4	Penyelidikan
GP1M011A050H	MOSFET N-CH 500V 11A TO220	Penyelidikan
GP2D024A060U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247	Penyelidikan
1N2133AR	DIODE GEN PURP REV 300V 60A DO5	Penyelidikan
GSXF100A060S1-D3	DIODE FAST REC 600V 100A SOT227	Penyelidikan
GP1M009A050FSH	MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F	Penyelidikan
GHIS100A120T2P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
FR12B05	DIODE GEN PURP 100V 12A DO4	Penyelidikan
GP2M020A050H	MOSFET N-CH 500V 18A TO220	Penyelidikan
GP2D003A060A	DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2	Penyelidikan
GP2D020A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2	Penyelidikan
1N1184R	DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5	Penyelidikan
GSXD060A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227	Penyelidikan
GP1M016A025HG	MOSFET N-CH 250V 16A TO220	Penyelidikan
FR20A02	DIODE GEN PURP 50V 20A DO5	Penyelidikan
S16JR	DIODE GEN REV 600V 16A DO203AA	Penyelidikan
FR12J05	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Penyelidikan
GP2D005A120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2	Penyelidikan
GPA040A120L-FD	IGBT 1200V 80A 480W TO264	Penyelidikan
FR20BR02	DIODE GEN PURP REV 100V 20A DO5	Penyelidikan
GP1M008A080FH	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:6/13Sebelumnya 1 2 3 4 567 8 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir