Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
GSXD100A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227	Penyelidikan
GP1M007A090H	MOSFET N-CH 900V 7A TO220	Penyelidikan
GP1M013A050H	MOSFET N-CH 500V 13A TO220	Penyelidikan
FR12B02	DIODE GEN PURP 100V 12A DO4	Penyelidikan
GP1M012A060H	MOSFET N-CH 600V 12A TO220	Penyelidikan
GP2D003A060C	DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2	Penyelidikan
GP1M003A050HG	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220	Penyelidikan
GCMS012A120S1-E1	SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C	Penyelidikan
FR40GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5	Penyelidikan
GHIS100A120S1-E1	SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S	Penyelidikan
GP1M006A070FH	MOSFET N-CH 700V 5A TO220F	Penyelidikan
S6Q	DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4	Penyelidikan
FST10035	DIODE MODULE 35V 100A TO249AB	Penyelidikan
GP1M003A090C	MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK	Penyelidikan
GP1M009A090H	MOSFET N-CH 900V 9A TO220	Penyelidikan
GCMS008A120B1B1	SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL	Penyelidikan
GSXD080A006S1-D3	DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227	Penyelidikan
FR20D02	DIODE GEN PURP 200V 20A DO5	Penyelidikan
S12QR	DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4	Penyelidikan
GP2D008A120C	DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L	Penyelidikan
GP2M010A060F	MOSFET N-CH 600V 10A TO220F	Penyelidikan
FST16040	DIODE MODULE 40V 160A TO249AB	Penyelidikan
1N1183A	DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB	Penyelidikan
MUR2540R	DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4	Penyelidikan
S25G	DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA	Penyelidikan
1N3209R	DIODE GEN PURP REV 100V 15A DO5	Penyelidikan
GP1M008A050CG	MOSFET N-CH 500V 8A DPAK	Penyelidikan
GP1M012A060FH	MOSFET N-CH 600V 12A TO220F	Penyelidikan
GSXD100A018S1-D3	DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227	Penyelidikan
1N2137A	DIODE GEN PURP 500V 60A DO5	Penyelidikan
GP1M011A050HS	MOSFET N-CH 500V 10A TO220	Penyelidikan
S6DR	DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4	Penyelidikan
S25J	DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA	Penyelidikan
FR16D05	DIODE GEN PURP 200V 16A DO4	Penyelidikan
FST12080	DIODE MODULE 80V 120A TO249AB	Penyelidikan
S12GR	DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4	Penyelidikan
FR16MR05	DIODE GEN PURP REV 1KV 16A DO4	Penyelidikan
GSXD160A015S1-D3	DIODE SCHOTTKY 150V 320A SOT227	Penyelidikan
GP2D003A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2	Penyelidikan
GP1M004A090H	MOSFET N-CH 900V 4A TO220	Penyelidikan
FR16G02	DIODE GEN PURP 400V 16A DO4	Penyelidikan
S16BR	DIODE GEN REV 100V 16A DO203AA	Penyelidikan
GP2M005A050PG	MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK	Penyelidikan
GHXS045A120S-D3	DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227	Penyelidikan
1N3209	DIODE GEN PURP 100V 15A DO5	Penyelidikan
GSXD120A020S1-D3	DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227	Penyelidikan
GKN26/12	DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4	Penyelidikan
GHIS060A060S-A2	IGBT BUCK CHOP 600V 120A SOT227	Penyelidikan
GHIS030A120S-A2	IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227	Penyelidikan
GP1M020A050N	MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:7/13Sebelumnya 1 2 3 4 5 678 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir