Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
GHIS060A120S-A1	IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227	Penyelidikan
GP1M003A050PG	MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK	Penyelidikan
GP1M009A060H	MOSFET N-CH 600V 9A TO220	Penyelidikan
GP2D005A120C	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2	Penyelidikan
GP2M008A060FGH	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F	Penyelidikan
GCMS040A120S1-E1	SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C	Penyelidikan
GP2D005A060A	DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220-2	Penyelidikan
FR6GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4	Penyelidikan
GP2D006A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2	Penyelidikan
GSID100A120T2C1A	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
GP1M009A020FG	MOSFET N-CH 200V 9A TO220F	Penyelidikan
FR6G02	DIODE GEN PURP 400V 6A DO4	Penyelidikan
FR40DR02	DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5	Penyelidikan
GHXS010A060S-D1	MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227	Penyelidikan
GHXS030A060S-D1E	MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227	Penyelidikan
GSXD160A012S1-D3	DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227	Penyelidikan
1N3890R	DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4	Penyelidikan
GP2D020A060U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247	Penyelidikan
1N3765R	DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5	Penyelidikan
GSXD060A006S1-D3	DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227	Penyelidikan
FR16DR02	DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4	Penyelidikan
GP2M002A065HG	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220	Penyelidikan
1N3210R	DIODE GEN PURP REV 200V 15A DO5	Penyelidikan
MBRT20030	DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER	Penyelidikan
GSXD100A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227	Penyelidikan
FST16080	DIODE MODULE 80V 160A TO249AB	Penyelidikan
GP2M010A060H	MOSFET N-CH 600V 10A TO220	Penyelidikan
S6QR	DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4	Penyelidikan
S40V	DIODE GEN PURP 1.4KV 40A DO5	Penyelidikan
FR40B02	DIODE GEN PURP 100V 40A DO5	Penyelidikan
GP2M007A065HG	MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220	Penyelidikan
FST10045	DIODE MODULE 45V 100A TO249AB	Penyelidikan
GHXS030A060S-D1	MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227	Penyelidikan
GP1M009A090N	MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN	Penyelidikan
GP2D010A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252	Penyelidikan
GP1M003A080H	MOSFET N-CH 800V 3A TO220	Penyelidikan
S25B	DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA	Penyelidikan
GP2M005A050HG	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220	Penyelidikan
GP2M020A050N	MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN	Penyelidikan
FST120100	DIODE MODULE 100V 120A TO249AB	Penyelidikan
GP2M005A060FG	MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F	Penyelidikan
GSXD030A004S1-D3	DIODE SCHOTTKY 45V 30A SOT227	Penyelidikan
1N3882	DIODE GEN PURP 300V 6A DO4	Penyelidikan
S25K	DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA	Penyelidikan
GSXF030A100S1-D3	DIODE FAST REC 1000V 30A SOT227	Penyelidikan
GP1M008A050PG	MOSFET N-CH 500V 8A IPAK	Penyelidikan
GP1M003A040PG	MOSFET N-CH 400V 2A IPAK	Penyelidikan
FR6D02	DIODE GEN PURP 200V 6A DO4	Penyelidikan
GHIS030A060B2P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
MBRT400150	DIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWER	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:3/13Sebelumnya 1 234 5 6 7 8 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir