Kartu garis

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
GSXD030A010S1-D3 Image GSXD030A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 30A SOT227 Penyelidikan
GP1M016A060FH Image GP1M016A060FH MOSFET N-CH 600V 16A TO220F Penyelidikan
FR6D05 DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 Penyelidikan
GSXD050A012S1-D3 Image GSXD050A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227 Penyelidikan
FR12BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 Penyelidikan
1N1188A DIODE GEN PURP 400V 40A DO5 Penyelidikan
GHIS030A120S-A1 Image GHIS030A120S-A1 IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227 Penyelidikan
GCMS020A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C Penyelidikan
GSXD060A004S1-D3 Image GSXD060A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227 Penyelidikan
FR40D05 DIODE GEN PURP 200V 40A DO5 Penyelidikan
GP1M008A025PG Image GP1M008A025PG MOSFET N-CH 250V 8A IPAK Penyelidikan
GKN71/16 DIODE GEN PURP 1.6KV 95A DO5 Penyelidikan
GP2D030A120U Image GP2D030A120U DIODE SIC 1200V 50A TO24 Penyelidikan
GP1M005A040CG Image GP1M005A040CG MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK Penyelidikan
GSXD080A010S1-D3 Image GSXD080A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227 Penyelidikan
GSXF120A040S1-D3 Image GSXF120A040S1-D3 DIODE FAST REC 400V 120A SOT227 Penyelidikan
FR12DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 Penyelidikan
FR40J02 DIODE GEN PURP 600V 40A DO5 Penyelidikan
1N3893 DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 Penyelidikan
GSXD160A018S1-D3 Image GSXD160A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227 Penyelidikan
GCMS080A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C Penyelidikan
GP1M006A065PH Image GP1M006A065PH MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK Penyelidikan
S12M DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4 Penyelidikan
GP2D005A170B Image GP2D005A170B DIODE SCHOTTKY 1700V 5A TO247-2 Penyelidikan
FR6AR05 DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4 Penyelidikan
FR30KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 30A DO5 Penyelidikan
S25BR DIODE GEN REV 100V 25A DO203AA Penyelidikan
GP2M009A090NG Image GP2M009A090NG MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN Penyelidikan
GHIS080A120S-A1 Image GHIS080A120S-A1 IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227 Penyelidikan
GP1M023A050N Image GP1M023A050N MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN Penyelidikan
GSXD050A006S1-D3 Image GSXD050A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227 Penyelidikan
1N3766 DIODE GEN PURP 800V 35A DO5 Penyelidikan
GSID150A120T2C1 SILICON IGBT MODULES Penyelidikan
MBRT200200R Image MBRT200200R DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER Penyelidikan
GP1M009A020PG Image GP1M009A020PG MOSFET N-CH 200V 9A IPAK Penyelidikan
GCMS080A120B1H1 SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1 Penyelidikan
1N2128AR DIODE GEN PURP REV 50V 60A DO5 Penyelidikan
GP2D010A120A Image GP2D010A120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 Penyelidikan
GSXD080A015S1-D3 Image GSXD080A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227 Penyelidikan
1N1186 DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 Penyelidikan
FR30BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 30A DO5 Penyelidikan
FST10040 Image FST10040 DIODE MODULE 40V 100A TO249AB Penyelidikan
S16MR DIODE GEN REV 1KV 16A DO203AA Penyelidikan
GP2D010A170B DIODE SCHOTTKY 1.7KV 10A TO247-2 Penyelidikan
S16QR DIODE GEN REV 1.2KV 16A DO203AA Penyelidikan
GP2D012A065C DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2 Penyelidikan
GP2M004A060FG Image GP2M004A060FG MOSFET N-CH 600V 4A TO220F Penyelidikan
GP2D005A065C DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO252 Penyelidikan
GSID080A120B1A5 SILICON IGBT MODULES Penyelidikan
GSXD050A018S1-D3 Image GSXD050A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227 Penyelidikan
catatan 639