TK5Q60W,S1VQ
TK5Q60W,S1VQ
Modèle de produit:
TK5Q60W,S1VQ
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
24558 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TK5Q60W,S1VQ.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:3.7V @ 270µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:I-PAK
Séries:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 2.7A, 10V
Dissipation de puissance (max):60W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Autres noms:TK5Q60W,S1VQ(S
TK5Q60WS1VQ
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 300V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:10.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Super Junction
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 5.4A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5.4A (Ta)
Email:[email protected]

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