TK5Q60W,S1VQ
TK5Q60W,S1VQ
Número de pieza:
TK5Q60W,S1VQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
24558 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
TK5Q60W,S1VQ.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:3.7V @ 270µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-PAK
Serie:DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:900 mOhm @ 2.7A, 10V
La disipación de energía (máximo):60W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres:TK5Q60W,S1VQ(S
TK5Q60WS1VQ
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:N-Channel 600V 5.4A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.4A (Ta)
Email:[email protected]

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