Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
Vgs (Max): | ±8V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | 6-UDFNB (2x2) |
Serie: | U-MOSVI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 32.4 mOhm @ 3A, 4.5V |
Verlustleistung (max): | 1W (Ta) |
Verpackung: | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse: | 6-WDFN Exposed Pad |
Andere Namen: | SSM6J503NULF(TDKR SSM6J503NULFDKR SSM6J503NULFDKR-ND |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 840pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.8nC @ 10V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 6A (Ta) |
Email: | [email protected] |