SSM6K202FE,LF
- Artikelnummer:
- SSM6K202FE,LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 31527 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.SSM6K202FE,LF.pdf2.SSM6K202FE,LF.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 85 mOhm @ 1.5A, 4V |
| Verlustleistung (max): | 500mW (Ta) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | SSM6K202FE(TE85LFCT SSM6K202FE(TE85LFCT-ND SSM6K202FE,LFCT SSM6K202FE,LFCT-ND SSM6K202FELF SSM6K202FELFCT |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 270pF @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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