SSM6K202FE,LF
- Modello di prodotti:
- SSM6K202FE,LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 31527 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.SSM6K202FE,LF.pdf2.SSM6K202FE,LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 85 mOhm @ 1.5A, 4V |
| Dissipazione di potenza (max): | 500mW (Ta) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | SSM6K202FE(TE85LFCT SSM6K202FE(TE85LFCT-ND SSM6K202FE,LFCT SSM6K202FE,LFCT-ND SSM6K202FELF SSM6K202FELFCT |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 270pF @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 30V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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