SSM6J771G,LF
- Modello di prodotti:
- SSM6J771G,LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 30752 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SSM6J771G,LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 1mA, 3V |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 31 mOhm @ 3A, 8.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.2W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-UFBGA, WLCSP |
| Altri nomi: | SSM6J771G,LF(S SSM6J771GLFTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 870pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 8.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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