SSM6K211FE,LF
- Modello di prodotti:
- SSM6K211FE,LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 54478 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.SSM6K211FE,LF.pdf2.SSM6K211FE,LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ES6 |
| Serie: | U-MOSIII |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 47 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 500mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | SSM6K211FE(TE85L,F SSM6K211FE(TE85LFTR SSM6K211FE(TE85LFTR-ND SSM6K211FE,LF(CA SSM6K211FELFTR SSM6K211FETE85LF |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 20V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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