État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
Vgs (Max): | ±10V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | ES6 |
Séries: | U-MOSIII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 47 mOhm @ 2A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max): | 500mW (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
Autres noms: | SSM6K211FE(TE85L,F SSM6K211FE(TE85LFTR SSM6K211FE(TE85LFTR-ND SSM6K211FE,LF(CA SSM6K211FELFTR SSM6K211FETE85LF |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.8nC @ 4.5V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.5V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss): | 20V |
Description détaillée: | N-Channel 20V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |