SSM6K211FE,LF
- Modelo do Produto:
- SSM6K211FE,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 54478 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- 1.SSM6K211FE,LF.pdf2.SSM6K211FE,LF.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | ES6 |
| Série: | U-MOSIII |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 47 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 500mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes: | SSM6K211FE(TE85L,F SSM6K211FE(TE85LFTR SSM6K211FE(TE85LFTR-ND SSM6K211FE,LF(CA SSM6K211FELFTR SSM6K211FETE85LF |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.5V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 20V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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