SSM6J216FE,LF
- Artikelnummer:
- SSM6J216FE,LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 74230 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SSM6J216FE,LF.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | ES6 |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 700mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | SSM6J216FE,LF(A SSM6J216FELF SSM6J216FELF(A SSM6J216FELF-ND SSM6J216FELFTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1040pF @ 12V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.7nC @ 4.5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 12V 4.8A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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