SSM6J207FE,LF
- Artikelnummer:
- SSM6J207FE,LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16588 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.SSM6J207FE,LF.pdf2.SSM6J207FE,LF.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie: | U-MOSII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 251 mOhm @ 650mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 500mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | SSM6J207FE(TE85L,F SSM6J207FE(TE85LFTR SSM6J207FE(TE85LFTR-ND SSM6J207FE,LF(CA SSM6J207FELFTR SSM6J207FETE85LF |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 137pF @ 15V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 30V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 1.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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