RN1118MFV,L3F
รุ่นผลิตภัณฑ์:
RN1118MFV,L3F
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
58699 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
RN1118MFV,L3F.pdf

บทนำ

We can supply RN1118MFV,L3F, use the request quote form to request RN1118MFV,L3F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RN1118MFV,L3F.The price and lead time for RN1118MFV,L3F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RN1118MFV,L3F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
ประเภททรานซิสเตอร์:NPN - Pre-Biased
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:VESM
ชุด:-
ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2):10 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):47 kOhms
เพาเวอร์ - แม็กซ์:150mW
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-723
ชื่ออื่น:RN1118MFVL3F
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ความถี่ - การเปลี่ยน:250MHz
คำอธิบายโดยละเอียด:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:50 @ 10mA, 5V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):500nA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):100mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest