RN1118MFV,L3F
- 제품 모델:
- RN1118MFV,L3F
- 기술:
- X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 58699 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- RN1118MFV,L3F.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 50V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 트랜지스터 유형: | NPN - Pre-Biased |
| 제조업체 장치 패키지: | VESM |
| 연속: | - |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2): | 10 kOhms |
| 저항기 -베이스 (R1): | 47 kOhms |
| 전력 - 최대: | 150mW |
| 패키지 / 케이스: | SOT-723 |
| 다른 이름들: | RN1118MFVL3F |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 주파수 - 전환: | 250MHz |
| 상세 설명: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 50 @ 10mA, 5V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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