조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4.5V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지: | ISOPLUS i4-PAC™ |
연속: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 20 mOhm @ 55A, 10V |
전력 - 최대: | 180W |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | i4-Pac™-5 |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 8600pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징: | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 150V |
상세 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 53A |
기본 부품 번호: | FMM |
Email: | [email protected] |