狀況 | New & Unused, Original Packing |
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來源 | Contact us |
VGS(TH)(最大)@標識: | 4.5V @ 250µA |
供應商設備封裝: | ISOPLUS i4-PAC™ |
系列: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 20 mOhm @ 55A, 10V |
功率 - 最大: | 180W |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | i4-Pac™-5 |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 8600pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 150nC @ 10V |
FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點: | Standard |
漏極至源極電壓(Vdss): | 150V |
詳細說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 53A |
基礎部件號: | FMM |
Email: | [email protected] |