状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4.5V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ: | ISOPLUS i4-PAC™ |
シリーズ: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 20 mOhm @ 55A, 10V |
電力 - 最大: | 180W |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | i4-Pac™-5 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 8600pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 150nC @ 10V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長: | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 150V |
詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 53A |
ベース部品番号: | FMM |
Email: | [email protected] |