SCT3022ALGC11
SCT3022ALGC11
Modello di prodotti:
SCT3022ALGC11
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET NCH 650V 93A TO247N
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
74916 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.SCT3022ALGC11.pdf2.SCT3022ALGC11.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5.6V @ 18.2mA
Vgs (Max):+22V, -4V
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247N
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:28.6 mOhm @ 36A, 18V
Dissipazione di potenza (max):339W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2208pF @ 500V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:133nC @ 18V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):18V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione dettagliata:N-Channel 650V 93A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:93A (Tc)
Email:[email protected]

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