SCT3120ALGC11
- Modello di prodotti:
- SCT3120ALGC11
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET NCH 650V 21A TO247N
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 9590 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.SCT3120ALGC11.pdf2.SCT3120ALGC11.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.6V @ 3.33mA |
| Vgs (Max): | +22V, -4V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247N |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 156 mOhm @ 6.7A, 18V |
| Dissipazione di potenza (max): | 103W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 460pF @ 500V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 18V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 18V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 650V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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