SCT2080KEC
- Modello di prodotti:
- SCT2080KEC
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 59572 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.SCT2080KEC.pdf2.SCT2080KEC.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 4.4mA |
| Vgs (Max): | +22V, -6V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 117 mOhm @ 10A, 18V |
| Dissipazione di potenza (max): | 262W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | SCT2080KECU |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2080pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 106nC @ 18V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 18V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 1200V 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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