Condizione | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (max) a Id: | 3.1V @ 500µA (Typ) |
Vgs (Max): | +25V, -10V |
Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK-7 |
Serie: | C2M™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
Dissipazione di potenza (max): | 78W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 52 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 1000V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 20V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
Tensione drain-source (Vdss): | 1700V |
Descrizione dettagliata: | N-Channel 1700V 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |