Condizione | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Origine | Contact us |
Vgs (th) (max) a Id: | 2.4V @ 100µA |
Vgs (Max): | +25V, -10V |
Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-3 |
Serie: | Z-FET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 2A, 20V |
Dissipazione di potenza (max): | 69W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 52 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 191pF @ 1000V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 20V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
Tensione drain-source (Vdss): | 1700V |
Descrizione dettagliata: | N-Channel 1700V 4.9A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |