IPB60R060C7ATMA1
- Modello di prodotti:
- IPB60R060C7ATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 62486 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- IPB60R060C7ATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 800µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3 |
| Serie: | CoolMOS™ C7 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 60 mOhm @ 15.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 162W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Altri nomi: | IPB60R060C7ATMA1-ND IPB60R060C7ATMA1TR SP001385008 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2850pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 650V 35A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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