조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.1V @ 500µA (Typ) |
Vgs (최대): | +25V, -10V |
과학 기술: | SiCFET (Silicon Carbide) |
제조업체 장치 패키지: | D2PAK-7 |
연속: | C2M™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
전력 소비 (최대): | 78W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 52 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 200pF @ 1000V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 13nC @ 20V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 20V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 1700V |
상세 설명: | N-Channel 1700V 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 5.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |