Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 3.1V @ 500µA (Typ) |
Vgs (Max): | +25V, -10V |
Technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Supplier Device-Gehäuse: | D2PAK-7 |
Serie: | C2M™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
Verlustleistung (max): | 78W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 52 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 1000V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 20V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1700V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 1700V 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 5.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |