SSM3J56MFV,L3F
- Modèle de produit:
- SSM3J56MFV,L3F
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 56129 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SSM3J56MFV,L3F.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | VESM |
| Séries: | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 390 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 150mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-723 |
| Autres noms: | SSM3J56MFV,L3F(B SSM3J56MFV,L3F(T SSM3J56MFVL3F(TTR SSM3J56MFVL3F(TTR-ND SSM3J56MFVL3FT SSM3J56MFVL3FTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 100pF @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.2V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | P-Channel 20V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 800mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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