SSM3J56MFV,L3F
- Modello di prodotti:
- SSM3J56MFV,L3F
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 56129 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SSM3J56MFV,L3F.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | VESM |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 390 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 150mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-723 |
| Altri nomi: | SSM3J56MFV,L3F(B SSM3J56MFV,L3F(T SSM3J56MFVL3F(TTR SSM3J56MFVL3F(TTR-ND SSM3J56MFVL3FT SSM3J56MFVL3FTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 100pF @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 800mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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